5.7 成形ビームのチルト(2次計画法)

 カバレッジの範囲を正面以外の任意の方向として, $\theta_{e1} \le \theta \le \theta_{e2}$ とすると,制約条件は, ここで, \begin{gather} u_{e1} = \frac{\pi D}{\lambda} \sin \theta_{e1}, \ \ \ \ \ u_{e2} = \frac{\pi D}{\lambda} \sin \theta_{e2} \end{gather} ただし, $\theta_{e1}$,$\theta_{e2} (> \theta_{e1})$ は利得を高くしたいカバレッジ端(edge of coverage, EOC)方向を示す. また,指向性関数 $g(u)$ は正規化していないため,$a_0$ も最適化変数として扱い,波源分布の対称性は考えないため,電界指向性 $g(u)$ は, \begin{eqnarray} g(u) &=& \sum_{n=-N}^N a_n \frac{\sin (u-n\pi)}{u-n\pi} \nonumber \\ &=& \sum_{n=-N}^N a_n \frac{(-1)^n}{1-\frac{n\pi}{u}} \frac{\sin u}{u} \nonumber \\ &=& \sum_{n=-N}^N a_n \varphi_n(u) \end{eqnarray} これより,まず等式制約条件(equality constraints) \begin{gather} \big[ A_{eq} \big] \VECi{a} = \VECi{b}_{eq} \end{gather} における行列$\big[ A_{eq} \big]$および列ベクトル $\VECi{b}_{eq}$ は, \begin{align} &\big[ A_{eq} \big]= \begin{pmatrix} \varphi_{-N}(u_{e1}) & \cdots \ & \varphi_0(u_{e1}) & \varphi_1(u_{e1}) & \cdots \ & \varphi_N(u_{e1}) \\ \varphi_{-N}(u_{e2}) & \cdots \ & \varphi_0(u_{e2}) & \varphi_1(u_{e2}) & \cdots \ & \varphi_N(u_{e2}) \\ \end{pmatrix} \\ &\VECi{b}_{eq}= \begin{pmatrix} 1 & 1 \\ \end{pmatrix} \end{align} 最適化変数は(要素数は$2N+1$), \begin{gather} \VECi{a} = \begin{pmatrix} a_{-N} & \cdots & a_0 & a_1 & \cdots \ & a_N \\ \end{pmatrix}^t \end{gather} また,不等式制約条件(inequality constraints) \begin{gather} \big[ A_{ineq} \big] \VECi{a} \leq \VECi{b}_{ineq} \end{gather} は,主ビームの条件より, \begin{align} &\big[ A_{ineq} \big] =-[A_c] \\ &\VECi{b}_{ineq} =-\VECi{I}_c \end{align} 行列$[A_c]$は,$u_{e1} \leq u_i^{(c)} < u_{e2}$ の範囲の点を $u_i^{(c)} \ (i=1,2, \cdots, N_c)$ とすると, \begin{gather} [A_c] = \begin{pmatrix} \varphi_{-N}(u_1^{(c)}) & \varphi_{-N}(u_2^{(c)}) & \cdots \ & \varphi_{-N}(u_{N_s}^{(c)}) \\ \vdots & \vdots & & \vdots \\ \varphi_0(u_1^{(c)}) & \varphi_0(u_2^{(c)}) & \cdots \ & \varphi_0(u_{N_s}^{(c)}) \\ \vdots & \vdots & & \vdots \\ \varphi_N(u_1^{(c)}) & \varphi_N(u_2^{(c)}) & \cdots \ & \varphi_N(u_{N_s}^{(c)}) \\ \end{pmatrix}^t \end{gather} ただし,$\VECi{I}_c$ は$N_c$列の要素が全て1となる列ベクトルを示す. \begin{gather} \VECi{I}_c= \begin{pmatrix} 1 & 1 & \cdots \ \\ \end{pmatrix}^t \end{gather} 所定のサイロドーブレベル$\epsilon_1$,$\epsilon_2$ 以下にする不等式制約条件は, ただし,$u_{s1}$,$u_{s2}$は主ビームより広角で, かつ第1サイドローブレベルまでの方向とする. これより, \begin{gather} \big[ A_{ineq} \big] = \begin{pmatrix} -[A_c] \\ [A_{s1}] \\ -[A_{s1}] \\ [A_{s2}] \\ -[A_{s2}] \end{pmatrix}, \ \ \ \ \ \VECi{b}_{ineq} = \begin{pmatrix} -\VECi{I}_c \\ \epsilon_{1} \VECi{I}_{s1} \\ \epsilon_{1} \VECi{I}_{s1} \\ \epsilon_{2} \VECi{I}_{s2} \\ \epsilon_{2} \VECi{I}_{s2} \\ \end{pmatrix} \end{gather} 行列$[A_{s1}]$は $u_{m1} \leq u \leq u_{s1}$ の範囲の点 $u_i^{(s1)} \ (i=0,1,2, \cdots, N_{s1})$における計算より $N_{s1}$行$(N+1)$列で表され,同様にして, 行列$[A_{s2}]$は $u_{s2} \leq u \leq u_{m2}$ の範囲の点 $u_i^{(s2)} \ (i=0,1,2, \cdots, N_{s2})$における計算より $N_{s2}$行$(N+1)$列で表され, \begin{gather} [A_{si}] = \begin{pmatrix} \varphi_{-N}(u_1^{(si)}) & \varphi_{-N}(u_2^{(si)}) & \cdots \ & \varphi_{-N}(u_{N_s}^{(si)}) \\ \vdots & \vdots & & \vdots \\ \varphi_0(u_1^{(si)}) & \varphi_0(u_2^{(si)}) & \cdots \ & \varphi_0(u_{N_s}^{(si)}) \\ \vdots & \vdots & & \vdots \\ \varphi_N(u_1^{(si)}) & \varphi_N(u_2^{(si)}) & \cdots \ & \varphi_N(u_{N_s}^{(si)}) \\ \end{pmatrix}^t \ \ \ (i=1,2) \end{gather} また,$\VECi{I}_{si} \ (i=1,2)$は$N_{si}$列の要素が全て1となる列ベクトルを示す. \begin{gather} \VECi{I}_{si}= \begin{pmatrix} 1 & 1 & \cdots \ \\ \end{pmatrix}^t \end{gather}

低サイドローブ成形ビーム($0^\circ\sim 40^\circ$)の$20^\circ$チルト

低サイドローブ成形ビーム($0^\circ\sim 40^\circ$)の$20^\circ$チルトの指向性合成

低サイドローブ成形ビーム($0^\circ\sim 40^\circ$)の$20^\circ$チルトの指向性合成

低サイドローブ($-35$dB)成形ビーム($0^\circ\sim 40^\circ$)のチルト

低サイドローブ($-35$dB)成形ビーム($0^\circ\sim 40^\circ$)のチルトの指向性合成

低サイドローブ成形ビーム($10^\circ\sim 30^\circ$)の$20^\circ$チルト

低サイドローブ成形ビーム($10^\circ\sim 30^\circ$)の$20^\circ$チルトの指向性合成

低サイドローブ成形ビーム($15^\circ\sim 25^\circ$)の$20^\circ$チルト

低サイドローブ成形ビーム($15^\circ\sim 25^\circ$)の$20^\circ$チルトの指向性合成

低サイドローブ成形ビーム($17.5^\circ\sim 22.5^\circ$)の$20^\circ$チルト

低サイドローブ成形ビーム($17.5^\circ\sim 22.5^\circ$)の$20^\circ$チルトの指向性合成